SIPM fè pwogrè nan modifikasyon femtosecond lazè nan sifas carbure silisyòm pou amelyore rechèch efikasite polisaj

Dènyèman, ekip Wei Chaoyang nan laboratwa Precision Optical Faktori ak Tès Sant nan Shanghai Institute of Optical Precision Machinery, Chinese Academy of Sciences, te fè pwogrè nan etid la femtosecond lazè modifikasyon nan sifas carbure Silisyòm pou amelyore efikasite polisaj. Yo jwenn ke modifikasyon sifas RB-SiC pre-kouvwi ak Si poud pa lazè femtosecond ka jwenn yon kouch modifikasyon sifas ak yon fòs lyezon nan 55.46 N. Ouch modifikasyon sifas la kapab tou modifye pa lazè femtosecond pou amelyore efikasite polisaj la. . Sifas RB-SiC modifye a ka poli pou sèlman 4.5 èdtan pou jwenn yon sifas optik ki gen yon sifas ki brutality Sq nan 4.45 nm, ki se plis pase twa fwa pi efikas pase polisaj dirèk. Rezilta yo pwolonje metòd modifikasyon sifas RB-SiC, ak kontwòl lazè a ak senplisite metòd la fè li posib yo dwe itilize pou modifikasyon sifas RB-SiC ak kontou konplèks. Rezilta ki gen rapò yo te pibliye nan Applied Surface Science.

RB-SiC, kòm yon seramik carbure Silisyòm ak pwopriyete ekselan, te vin youn nan materyèl ki pi ekselan ak posib pou eleman ki lejè ak gwo teleskòp optik, espesyalman pou gwo-gwosè ak konplèks ki gen fòm miwa. Sepandan, RB-SiC, kòm yon materyèl tipik dite segondè, konplèks-faz, gen 15% -30% Silisyòm rezidyèl ki rete nan vid la lè likid Si reyaji chimikman ak C pandan pwosesis la SINTERING. Ak diferans ki genyen nan pwopriyete yo polisaj nan de materyèl sa yo pral fòme mikwo-etap nan junction nan faz SiC ak konpozan faz Si pandan pwosesis la polisaj presizyon sifas, ki gen tandans fè diffraction, epi li pa fezab pou jwenn bon jan kalite sifas poli. , ak poze yon gwo defi nan polisaj ki vin apre a.

Pou adrese pwoblèm ki anwo yo, etid la pwopoze yon metòd pretretman modifikasyon sifas lazè femtosecond, ki itilize yon lazè femtosecond pou modifye sifas RB-SiC pre-kouvwi ak poud Silisyòm, ki pa sèlman rezoud pwoblèm sifas gaye akòz diferans ki genyen nan. pèfòmans nan polisaj nan de faz yo, men tou, efektivman diminye difikilte pou yo polisaj ak amelyore efikasite nan polisaj nan substra a RB-SiC. Rezilta yo montre ke poud Si pre-kouvwi sou sifas RB-SiC soksid anba aksyon lazè femtosecond, ak oksidasyon an piti piti rantre pi fon nan koòdone a, kouch modifye a fòme yon kosyon ak substra RB-SiC la. Lè yo optimize paramèt optik lazè yo pou ajiste pwofondè oksidasyon an, yo te jwenn yon kouch modifye-wo kalite ak yon fòs kosyon nan 55.46 N. Kouch modifye a pi fasil pou poli konpare ak substra RB-SiC la, sa ki pèmèt brutality sifas RB-SiC pretrete a redwi a Sq 4.5 nm nan jis kèk èdtan nan polisaj, ki se plis pase twa fwa pi efikas konpare ak polisaj abrazif nan substra a RB-SiC. Anplis de sa, operasyon senp metòd la ak kondisyon ki ba sou pwofil la sifas nan RB-SiC substra a ka aplike nan sifas ki pi konplèks RB-SiC ak siyifikativman amelyore efikasite nan polisaj.