Dènyèman, Nanjing University te devlope avèk siksè gwo-echèl Silisyòm Carbide (SiC) lazè tranche ekipman ak teknoloji, ki make yon avansman enpòtan nan jaden an nan twazyèm jenerasyon ekipman pwosesis materyèl semi-conducteurs nan Lachin. Teknoloji sa a pa sèlman rezoud pwoblèm nan gwo pèt materyèl nan teknik koupe tradisyonèl, men tou siyifikativman amelyore efikasite pwodiksyon an, fè yon kontribisyon enpòtan nan devlopman nan teknoloji manifakti aparèy carbure Silisyòm.
Silisyòm Carbide (SiC), kòm yon materyèl estratejik kle, enpòtan anpil pou sekirite defans nasyonal, endistri otomobil mondyal la ak endistri enèji. Nouvo teknoloji devlope pa Nanjing University te fè amelyorasyon siyifikatif nan pèfòmans nan tranche pandan pwosesis pwosesis la kristal sèl carbure Silisyòm. Li ka efektivman kontwole domaj sifas krak wafer la, kidonk amelyore nivo pwosesis eklèsi ak polisaj ki vin apre a.
"Tradisyonèl milti-fil koupe teknoloji gen gwo pèt materyèl ak sik pwosesis long lè pwosesis carbure Silisyòm, ki pa sèlman ogmante depans pwodiksyon, men tou limite kapasite," lidè pwojè a eksplike. To itilizasyon materyèl metòd tradisyonèl la nan lyen koupe a se sèlman 50%, ak pèt materyèl apre polisaj ak fanm k'ap pile se kòm yon wo 75%.
Pou simonte defi sa yo, ekip teknik nan Nanjing University te adopte ekipman lazè tranche, siyifikativman diminye pèt materyèl ak amelyore efikasite pwodiksyon an. Pou egzanp, yon ingot SiC 20mm ka pwodwi plis pase 50 gaufre lè l sèvi avèk teknoloji tranche lazè, konpare ak 30 gaufre nan 350 mikron ki te pwodwi pa teknoloji tradisyonèl fil wè. Apre optimize karakteristik jewometrik wafer, epesè yon sèl wafer ka redwi a 200 mikron, sa ki pèmèt yon sèl ingot pwodwi plis pase 80 wafers.
Anplis de sa, ekipman lazè tranche devlope pa Nanjing University tou gen yon avantaj enpòtan nan koupe tan. Tan an koupe yon sèl tranch nan yon 6-pous semi-izolasyon / kondiktif Silisyòm carbure lengote pa depase 15 minit, ak pwodiksyon anyèl la nan yon sèl aparèy ka rive jwenn plis pase 30, 000 moso. Pèt la pou chak moso efektivman kontwole, ak pèt la nan yon semi-izolasyon ingot carbure Silisyòm kontwole nan 30 mikron ak kalite kondiktif nan 60 mikron, ogmante pousantaj sede a pa plis pase 50%.
An tèm de kandida aplikasyon pou mache, gwo-echèl Silisyòm carbure lazè tranche ekipman yo pral vin ekipman debaz pou tranche 8-pous Silisyòm carbure lengote nan tan kap vini an. Koulye a, sèlman Japon ka bay ekipman sa yo, ki se chè ak anbago kont Lachin. Demann domestik la depase 1,000 inite, ak ekipman ki devlope pa Nanjing University pa ka itilize sèlman pou koupe silisyòm carbure ingot ak wafer eklèsi, men tou pou pwosesis lazè nan materyèl tankou nitrure galyòm, oksid galyòm, ak dyaman. , ki montre kandida aplikasyon mache laj.
