Japon devlope nouvo teknoloji tranch lazè pou Diamond Semiconductor

Diamond se yon materyèl pwomèt pou endistri a semi-conducteurs, men tranche li nan gaufre mens ka yon tèt fè mal reyèl ak defi.
Nan yon etid resan, yon ekip chèchè nan Chiba University te devlope yon nouvo teknik ki baze sou lazè ki ka koupe dyaman sou plan an kristal optimal. Dekouvèt sa a pral ede fè materyèl sa a pi efikas pou konvèsyon enèji efikas nan machin elektrik, ak teknoloji kominikasyon gwo vitès.
Précédemment, byenke pwopriyete yo nan dyaman yo atire endistri a semi-conducteurs, aplikasyon an nan materyèl dyaman te limite pa mank de teknoloji kounye a sou mache a efikasite koupe dyaman nan tranch mens. Nan absans tranche efikas, wafers yo dwe sentèz youn pa youn, sa ki fè pri fabrikasyon yo entèdi nan pifò endistri yo.
Yon gwoup rechèch Japonè ki te dirije pa Pwofesè Hirofumi Hidai nan Lekòl Gradye Jeni Inivèsite Chiba a fèk jwenn yon solisyon pou pwoblèm sa a.
Nan yon etid ki te pibliye dènyèman nan jounal Diamonds and Related Materials, yo rapòte yon nouvo teknik tranche ki baze sou lazè ki ka itilize pou koupe dyaman pwòp sou sifas kristal optimal pou pwodui wafer lis.
Pwopriyete pifò kristal yo, ki gen ladan dyaman, varye selon diferan plan kristal (sifas ki ipotetikman gen atòm ki fòme kristal la). Pou egzanp, dyaman ka fasil koupe sou sifas ｛111｝. Sepandan, tranche ｛100｝ se yon defi paske li tou pwodui fant sou sifas dezentegre ｛111｝, ki ogmante pèt antay.
Pou anpeche pwopagasyon nan fant endezirab sa yo, chèchè yo te devlope yon teknik pwosesis dyaman ki konsantre kout batman lazè sou yon volim etwat, conique nan materyèl la.
Pwofesè Hidai eksplike, "Irradiasyon lazè konsantre konvèti dyaman nan kabòn amorphe, ki gen yon dansite pi ba pase dyaman. Kòm yon rezilta, dansite nan zòn nan chanje pa pulsasyon yo lazè diminye ak fant ka fòme."
Lè yo irradie pulsasyon lazè sa yo sou yon echantiyon dyaman transparan nan yon modèl kadriyaj kare, chèchè yo te kreye yon kadriyaj andedan materyèl la ki konpoze de ti rejyon ki gen tandans fè fant. Si espas ki genyen ant rejyon modifye yo nan kadriyaj la ak kantite pulsasyon lazè yo itilize nan chak rejyon an pi bon, tout rejyon modifye yo konekte youn ak lòt pa ti fant ki preferansyèlman pwopaje sou plan ｛100｝. Kidonk, yon wafer lis ak yon sifas ｛100｝ ka fasilman separe de rès blòk la lè w senpleman pouse yon zegwi tengstèn byen file nan yon bò nan echantiyon an.
An jeneral, teknik ki anwo a se yon etap kle nan fè dyaman yon materyèl semiconductor apwopriye pou teknoloji nan lavni. Nan sans sa a, pwofesè Hidai di: "Kapasite nan tranch dyaman yo pwodwi wafers bon jan kalite a pri ki ba se enpòtan anpil pou fabwikasyon nan aparèy semi-conducteurs dyaman. Kidonk, rechèch sa a pote nou yon etap pi pre reyalize aplikasyon yo divès kalite dyaman. semi-conducteurs nan sosyete a, tankou amelyore pousantaj konvèsyon pouvwa machin elektrik ak tren."