Materyèl ki baze sou nitrure Galyòm (GaN) yo konnen kòm semi-conducteurs twazyèm jenerasyon, ki gen ranje espèk kouvri tout gwoup longèdonn tou pre-enfrawouj, vizib ak iltravyolèt, epi yo gen aplikasyon enpòtan nan domèn optoelectronics.GaN ki baze sou lazè iltravyolèt gen enpòtan. kandida aplikasyon nan domèn litografi iltravyolèt, geri iltravyolèt, deteksyon viris, ak kominikasyon iltravyolèt akòz karakteristik longèdonn kout, enèji foton segondè, ak gaye fò. Sepandan, paske GaN ki baze sou lazè UV yo prepare ki baze sou gwo dezakò eterojèn epitaxial teknoloji materyèl, domaj yo materyèl, dopaj se difisil, ki ba pwopòsyon byen luminesans efikasite, pèt aparèy, se lazer yo semi-conducteurs entènasyonal nan jaden an nan rechèch la nan difikilte pou la. , pa domestik ak etranje gwo atansyon.
Semiconductor Research Institute of Chinese Academy of Sciences, Zhao Degang chèchè, Yang Jing asosye chèchè konsantre alontèm sou GaN ki baze sou materyèl optoelectronic rechèch ak aparèy. 2016 devlope lazè UV ki baze sou GaN [J. Semi-konn. 38, 051001 (2017)], 2022 reyalize piki elektrik eksitasyon AlGaN UV lazè (357.9 nm) [J. Semi-konn. 43, 1 (J. Semicond. 43, 1 (2017)]. Semicond. 43, 1 (2022)], ak nan menm ane a, yon gwo pouvwa UV lazè ak yon pouvwa pwodiksyon kontinyèl nan 3.8 W nan tanperati chanm nan. reyalize [Opt. Laser Technol. 156, 108574 (2022)] Dènyèman, ekip nou an te fè pwogrè enpòtan nan GaN ki baze sou gwo pouvwa lazè UV, e li te jwenn ke karakteristik tanperati pòv nan lazè UV yo sitou ki gen rapò ak prizon an fèb. nan transpòtè nan pwi pwopòsyon UV, ak karakteristik tanperati yo nan lazè UV gwo pouvwa yo te siyifikativman amelyore pa entwodiksyon de yon nouvo estrikti nan baryè pwopòsyon AlGaN ak lòt teknik, ak pouvwa pwodiksyon kontinyèl nan lazè UV nan tanperati chanm te pi lwen. ogmante a 4.6 W, ak longèdonn eksitasyon an te ogmante a 386.8 nm.Figi 1 montre spectre eksitasyon nan gwo pouvwa UV lazè a, ak Figi 2 montre optik pouvwa-aktyèl-vòltaj (PIV) koub lazè UV la. zouti nan GaN ki baze sou gwo pouvwa UV lazè pral ankouraje lokalizasyon aparèy la ak sipòte domestik litografi UV, endistri lazè iltravyolèt (UV). Dekouvèt nan GaN ki baze sou gwo pouvwa UV lazè pral ankouraje lokalizasyon aparèy la ak sipòte devlopman endepandan nan domestik UV litografi, UV geri, UV kominikasyon ak lòt jaden.
Rezilta yo te pibliye kòm "Amelyore karakteristik tanperati nan GaN ki baze sou dyod lazè iltravyolèt lè l sèvi avèk InGaN / AlGaN pwi pwopòsyon" nan OSCE la. Rezilta yo te pibliye nan Optics Letters anba tit "Amelyore karakteristik tanperati nan dyod lazè iltravyolèt ki baze sou GaN lè l sèvi avèk pwi pwopòsyon InGaN/AlGaN" [Optics Letters 49, 1305 (2024) https://doi.org/10.1364/OL .515502 ］. Dr Jing Yang se premye otè a ak Dr Degang Zhao se otè ki koresponn nan papye a. Travay sa a te sipòte pa plizyè pwojè, ki gen ladan Pwogram Nasyonal Rechèch ak Devlopman nan Lachin, Fondasyon Nasyonal Syans Natirèl Lachin nan, ak Pwojè Espesyal Syans Pilòt Estratejik ak Teknoloji Akademi Chinwa Syans.
Fig. 1 spectre eksitasyon nan gwo pouvwa UV lazè
Fig. 2 Koub optik pouvwa-aktyèl-vòltaj (PIV) nan lazè UV
