Antre nan 2026, fòs kondwi a pou kwasans nan endistri lazè a te deplase soti nan bò ekipman nan bò aplikasyon an. Amelyorasyon fabrikasyon Semiconductor, nouvo ekspansyon kapasite pwodiksyon enèji, ak eksplozyon enfrastrikti enfòmatik AI ap bati plizyè wou kondwi pou kwasans endistriyèl. Lazè yo te evolye piti piti soti nan pouvwa debaz nan "lam limyè" pou fabrikasyon wo-. So yo nan pouvwa yo, lajè batman kè, longèdonn ak entegrasyon yo afekte dirèkteman endistri manifakti tèminal ki vo trillions. Tokay domestik yo nan kristal lazè en, fib optik espesyal ak konpozan presizyon yo te vin sipò ki kache pou rezistans nan chèn endistri lazè a.
Nan jaden an semi-conducteurs, Silisyòm carbure wafer koupe ak avanse anbalaj lazè perçage te mete pi devan kondisyon strik pou estabilite ak gwo bout bwa montre presizyon nan lazè ultrarapid; nan nouvo jaden enèji, soude lazè ak koupe moso poto nan materyèl trè meditativ tankou kòb kwiv mete ak aliminyòm te fòse lazè fib yo repete nan direksyon bann limyè vèt ak tach annulaire; eksplozyon an nan enfrastrikti pouvwa AI informatique te dirèkteman ranfòse demann fò pou etwat linewidth DFB lazè ak Silisyòm limyè entegre sous limyè. Traction fò nan demann en an menm tan mennen nan dekouvèt sistematik nan lyen kle tankou gwo -pouvwa semi-conducteurs lazè chips, chips lazè nitrure Galyòm, fib optik espesyal, ak kristal optik ki pa lineyè. Pousantaj lokalizasyon an kontinye ap monte, bay yon fondasyon solid pou lazè yo deplase soti nan "ki ka itilize" nan "fasil pou itilize."
CIOE Teknoloji Lazè ak Egzibisyon Faktori Entelijan, ki te fèt nan Shenzhen Entènasyonal Konvansyon ak Egzibisyon Sant soti 9 septanm 11, 2026, pral konsantre sou prezante inovasyon konplè -nan ekspozisyon materyèl, lazè, pwosesis lazè ak ekipman automatisation nan solisyon entèlijan, ede jaden aplikasyon en yo eksplore nouvo aplikasyon ak nouvo bezwen nan endistri lazè a.
Lazè: Teknoloji iterasyon akselere, kapasite jeni vin nwayo konpetisyon an
Lazè Han a te lanse yon lazè nanosecond vèt iltravyolèt nan kòmansman ane a, ak yon pousantaj lokalizasyon ki gen plis pase 85%. Dènyèman, li te demontre tou yon solisyon automatisation koupe pouvwa pa ajan AI pwòp tèt -devlope, osi byen ke nouvo pwodwi ki lejè tankou bag ble twa-lazè plas; Repoze sou syans ayewospasyal ak background jeni li yo, Raycus Laser kontinye apwofondi efò li yo nan jaden an nan gwo -lazè fib pouvwa ak delivre plizyè lazè fib 8kW{-klas Huazhong University of Syans ak Teknoloji ane sa a; Chuangxin Lazè te pibliye premye 10,000W MOPA batman fib lazè nan mond lan, lazè batman kè mezire sèl fib pwodiksyon an depase 10.38kW, ak pik pouvwa a se jiska 1.7MW, ranpli espas sa a nan jaden aplikasyon endistriyèl 10,000-watt MOPA. Caplin te lanse yon nouvo pwodwi ultrarapid lazè ki kouvri ti/mwayen/segondè picosecond ak fib/solid femtosecond, bati yon otonòm kontwole ultrafast teknoloji matris nan seri a plen pouvwa. Lazè femtosecond li yo sèvi ak teknoloji anplifikasyon batman kè chirped ak lajè batman kè a konprese a mwens pase 300fs.
Egzibisyon sa a te rasanble Han, Raycus, Chuangxin, Limyè Konvèsyon, Litilit, Vertilas Gmbh, Keplin, Futoni, Luosi Laser, Zhongjiu Daguang, Huaguang, Yinggu, Zhonghui, Liangyuan, Jingzhong, Guoshun, Shenglei, Elit, Gongda, Yingnuo, Jinqiang, Aiou,,, Frere Tengjing, Mil, Spect ak lòt konpayi reprezantan endistri montre dènye devlopman yo nan teknoloji lazè.
Ranplasman domestik nan materyèl lazè ak konpozan ap avanse nan pwofondè, ak lyen kle yo kontinye fè avans
Avansman nan endistri lazè a se inséparabl nan fòs la kondwi kache nan materyèl en ak aparèy. Chak evolisyon nan materyèl lazè dirèkteman afekte limit siperyè pèfòmans lazè. Depi 2026, sibstitisyon domestik sistematik nan jaden materyèl lazè te akselere, ak zouti kle yo te reyalize nan entegrasyon fotonik Silisyòm, chips lazè nitrure Galyòm, kristal optik ki pa lineyè ak lòt direksyon.
Changguang Huaxin dènyèman te demontre yon matris pwodwi chip VCSEL konplè ki baze sou yon platfòm IDM totalman endepandan, ki konsantre sou lansman gwo -pouvwa ak gwo-klète 2D VCSEL adrese, totalman otorize pwodiksyon an gwo -echèl lidar nan 2026; Ripple Optoelectronics te lanse yon gwo -efikasite, segondè-tanperati-rezistan 638nm semi-conducteurs lazè chip ak kontinye amelyore solisyon semi-conducteurs chip lazè li yo; Guangyue Teknoloji te lanse yon seri de solisyon pwodwi Customized alantou eleman pasif debaz tankou polarizasyon -konsèv konbinatè gwo bout bwa, segondè-izolasyon pouvwa ak ponp konbine.
Pwodwi yo lajman itilize nan lazè ultrarapid, deteksyon fib optik ak sistèm lazè endistriyèl; Ruijing Lazè te jwenn otorizasyon patant pou "semiconductor lazè chips ak aktyèl modulation" e li te etabli yon seri konplè gwo -tribin IDM semiconductor lazè chip segondè. Longèdonn pwodwi a ka kouvri ranje 638nm a 1080nm, epi li pran angajman pou kraze depandans endistri a sou "aparèy san nwayo" pou gwo -chip lazè pouvwa; Haitai Optoelectronics ap lokalize kristal lazè ak kristal optik ki pa lineyè, epi li pral kontinye lanse gwo domaj papòt KTP/HGTR-KTP nan 2026 kristal ki pa lineyè, gwo -estabilite RTP elektwo- switch optik, ak ranpli kapasite pwodiksyon medikal la, ak ekspansyon kritè. materyèl debaz ak sipò aparèy pou lazè ultrarapid, pwosesis endistriyèl ak lazè bote medikal.
Gen kèk ekspozan reprezantan: Changguang Huaxin, Gen Semiconductor, Nwayo Siklòn, Ripple, De Rui, Ruijing, Daheng Optoelectronics, Youzhong Micronano, Dingyang Optoelectronics, Hitech Optoelectronics, Dingxinsheng, Xinyuan Huibo, Guangyan, Guangyue, Ruike, Wuyue, Jingang Aerodiodemicon, Xingyang Semiconductor Optoelectronics, Crystal Lattice, USHIO, Sivers, elatriye.
